Menentukan Energi Gap Semikonduktor Silikon Melalui Pengukuran Resistansi Bahan pada Suhu Beragam

Jorena Jorena

Abstract


Telah dilakukan penentuan energi gap dengan cara mengukur resistansi R bahan semikonduktor pada suhu beragam. Resistivitas dan konduktivitas semikonduktor dipengaruhi oleh suhu; semakin tinggi suhu, resistivitas semakin kecil sedangkan konduktivitas semakin besar. Grafik ln _ versus 1/T adalah kurva linear dengan kemiringan b = −5893, 9 yang merupakan nilai −Eg/(2kB). Karena itu diperoleh nilai −Eg sebesar 1,01 eV. Nilai ini tidak jauh dari nilai energi gap secara teori untuk bahan semikondumtor intrinsik, yaitu 1,11 eV.

Full Text:

PDF

References


Greiner, R.A., 1961, Semiconductor Devices and Applications, McGraw-Hill book Co., inc., New york

Omar, M.A., 1974, Elementary solid State Physics Principles and Application, Lowel Tecnological Institute

Kittel, C., 1986, Introduction to solid state physics, edisi 6, John Wiley & Sons, new york

Sze, S.M., 1985, Physics of semiconductor devices, Second ed., John Wiley and Sons

Jorena, 2000, Penentuan energi gap bahan semikonduktor silikon , Laporan Penelitian, Proyek Penelitian Dana Rutin UNSRI




DOI: https://doi.org/10.56064/jps.v12i1.185

Refbacks

  • There are currently no refbacks.


   

  

 

 

Creative Commons License

Jurnal Penelitian Sains (JPS) Published by UP2M, Faculty of Mathematic and Natural Science Sriwijaya University is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International License.

 

View My Stats